(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211537862.9 (22)申请日 2022.12.02 (71)申请人 季华实验室 地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街 道环岛南路28号 (72)发明人 郑梦洁　傅翼斐　曾沛　潘美妍　 陈皓　 (74)专利代理 机构 佛山市海融科创知识产权代 理事务所(普通 合伙) 44377 专利代理师 陈志超 (51)Int.Cl. G01N 21/65(2006.01) G03F 7/00(2006.01) B82Y 40/00(2011.01) B82Y 15/00(2011.01) (54)发明名称 一种SERS衬底制造方法及SERS衬底 (57)摘要 本申请涉及表 面增强拉曼光谱技术领域， 具 体提供了一种SERS衬底制造 方法及SERS衬底， 该 方法包括： 准备SERS衬底基板， 所述SERS衬底基 板包括依次连接的刚性硬质衬底、 正性光刻胶层 和负性光刻胶层； 对所述负性光刻胶层进行曝光 和显影， 以得到至少一个多聚体结构； 将所述多 聚体结构作为掩模， 对所述正性光刻胶层进行刻 蚀， 以使所述多聚体结构与其下方的正性光刻胶 层形成上宽下窄的三维悬空结构； 基于低温沉积 对所述三维悬空结构进行金属沉积， 以得到包括 三维悬空金属结构的SERS衬底； 该方法能够有效 地提高表面增强拉曼光谱检测的灵敏度。 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 CN 115541558 A 2022.12.30 CN 115541558 A 1.一种SERS衬底制造方法， 其特 征在于， 其包括以下步骤： 准备SERS衬底基板， 所述SERS衬底基板包括依次连接的刚性硬质衬底、 正性光刻胶层 和负性光刻胶层； 对所述负性 光刻胶层进行曝光和显影， 以得到 至少一个多聚体结构； 将所述多聚体结构作为掩模， 对所述正性光刻胶层进行刻蚀， 以使所述多聚体结构与 其下方的正性光刻胶层形成上宽下窄的三维悬空结构； 基于低温沉积对所述三维悬空结构进行金属沉积， 以得到包括三维悬空金属结构的 SERS衬底。 2.根据权利 要求1所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述准备SERS衬底基板的步 骤包括： 在刚性硬质衬底上旋 涂并烘干正 性光刻胶， 以得到正 性光刻胶层； 在所述正性光刻胶层上旋涂负性光刻胶， 以得到负性 光刻胶层。 3.根据权利要求1所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述对所述负性光刻胶层进 行曝光和显影， 以得到 至少一个多聚体结构的步骤 包括： 利用光刻系统对所述负性 光刻胶层进行曝光； 将曝光后的SERS衬底基板放入显影液中， 以对曝光后的负性光刻胶层进行显影， 以得 到至少一个多聚体结构； 清洗并吹干 显影后的SERS衬底基板 。 4.根据权利要求3所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述负性光刻胶层所用的负 性光刻胶为HSQ， 所述显影液为TMAH显影液或包含浓度比例为1% ‑2%的NaOH及浓度比例为 3%‑5%的NaCl的水 溶液。 5.根据权利要求3所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述多聚体结构的单个聚体 为圆柱结构或三 棱柱结构。 6.根据权利要求5所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述圆柱结构的底面直径为 140‑160nm， 相邻的两个圆柱结构的间距为1 ‑3 μm。 7.根据权利要求3所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述清洗并吹干显影后的 SERS衬底基板的步骤 包括： 分别利用去离 子水和IPA冲洗剂冲洗 显影后的SERS衬底基板； 利用氮气流吹干清洗后的SERS衬底基板 。 8.根据权利要求1所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述对所述正性光刻胶层进 行刻蚀的步骤 包括： 利用刻蚀系统对所述正性光刻胶层进行刻 蚀， 所述刻蚀系统以氧气和三氟甲烷作为刻 蚀气体对 所述正性光刻胶层 进行刻蚀， 其中， 所述氧气的流量为27.5 sccm， 所述三氟甲烷的 流量为22.5sccm， 刻蚀压强为5.3 3Pa， 射频功率 为100W， 刻蚀时长为80s。 9.根据权利要求1所述的SERS衬底制造方法， 其特征在于， 所述对所述正性光刻胶层进 行刻蚀的步骤 包括： 利用刻蚀系统对所述正性光刻胶层进行刻 蚀， 所述刻蚀系统以氧气作为刻蚀气体对所 述正性光刻胶层进行刻蚀， 其中， 所述氧气的流量为180sccm， 刻蚀压强为2Pa， 射频功率为 100W， 刻蚀时长为6 0s。权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115541558 A 210.一种SERS衬底， 其特征在于， 由如权利要求1 ‑9任意一项所述的SERS衬底制造方法 制成。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115541558 A 3