(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211380126.7 (22)申请日 2022.11.05 (71)申请人 四川大学 地址 610000 四川省成 都市一环路南 一段 24号 (72)发明人 任俊文　姜国庆　贾申利　赵莉华　 黄小龙　贾利川　 (74)专利代理 机构 成都其知创新专利代理事务 所(普通合伙) 51326 专利代理师 舒春艳 (51)Int.Cl. C01B 21/064(2006.01) B82Y 40/00(2011.01) B01J 19/08(2006.01) (54)发明名称 一种制备氮化硼纳米片的方法及装置 (57)摘要 本发明公开了一种制备氮化硼纳米片的方 法及装置， 涉及纳米材料制备技术领域， 解决现 有氮化硼纳米片制备效率低的技术问题。 所述方 法包括以下步骤： 在密闭的电爆炸腔室中放入放 电负载， 且放电负载的一端与高压电极一相连， 另一端与低压电极一相连； 在所述放电负载四周 铺设六方氮化硼； 对电爆炸腔室进行抽真空， 然 后向电爆炸腔室内充入保护气体； 利用储能电容 器对放电负载进行放电， 使放电负载发生相变产 生等离子体； 六方氮化硼在等离子体的作用下发 生层间破坏， 制得氮化硼纳米片。 本发明能够利 用金属丝电爆炸产生等离子体， 利用等离子体向 外急剧膨胀 （爆炸） 产生的冲击力， 破坏氮 化硼层 与层之间的范德华力， 进而高效制备出氮化硼纳 米片。 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 CN 115417386 A 2022.12.02 CN 115417386 A 1.一种制备氮化硼纳米片的方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 在密闭的电爆炸腔室中放入放电负载， 且所述放电负载的一端与所述电爆炸腔室内的 高压电极一相连， 所述 放电负载的另一端与所述电爆炸腔室内的低压电极一相连； 在所述放电负载四周铺设六 方氮化硼； 对所述电爆炸腔室进行抽真空， 然后向所述电爆炸腔室内充入保护气体； 利用储能电容器对所述 放电负载进行放电， 使所述 放电负载发生相变产生 等离子体； 所述六方氮化硼在所述等离子体爆炸产生的冲击力作用下发生层间破坏， 制得氮化硼 纳米片。 2.根据权利要求1所述的制备氮化硼纳米片的方法， 其特征在于， 所述放电负载为铜金 属丝。 3.根据权利要求1所述的制备氮化硼纳米片的方法， 其特征在于， 通过在所述放电负载 处设置绝缘托盘， 将所述六方氮化硼铺设在所述绝缘托盘内， 使所述六方氮化硼铺设在所 述放电负载的四周。 4.根据权利要求1所述的制备氮化硼纳米片的方法， 其特征在于， 所述保护气体为氩 气。 5.根据权利要求1所述的制备氮化硼纳米片的方法， 其特征在于， 对所述电爆炸腔室进 行抽真空时， 抽真空至所述电爆炸腔室的气压小于10Pa。 6.根据权利要求1所述的制备氮化硼纳米片的方法， 其特征在于， 向所述电爆炸腔室内 充入保护气体时， 充气至所述电爆炸腔室的气压为10kPa ‑100kPa。 7.一种制备氮化硼纳米片的装置， 其特征在于， 包括储能电容器、 保护电阻、 电火花开 关、 高压电极二、 低压电极二、 电爆炸腔室、 充气泵、 抽真空泵一， 所述电爆炸腔室内设有高 压电极一和低压电极一， 所述高压电极一和所述低压电极一之间设有放电负载； 所述储能电容器的高压输出端与 所述保护电阻相连， 所述保护电阻的另一端与所述电 火花开关相连， 所述电火花开关的另一端与所述高压电极二相连， 所述高压电极二穿过所 述电爆炸腔室与所述高压电极一相连； 所述低压电极二穿过所述电爆 炸腔室与所述低压电 极一相连； 所述储能电容器的低压 输出端、 所述低压电极二以及电爆炸腔室均接地； 所述充气泵与所述电爆炸腔室相连通， 用于对所述电爆炸腔室充入保护气体； 所述抽真空泵一与所述电爆炸腔室相连通， 用于对所述电爆炸腔室抽真空。 8.根据权利要求7所述的制备氮化硼纳米片的装置， 其特征在于， 还包括抽真空泵二， 所述抽真空泵二与所述电爆炸腔室相连通， 且所述抽真空泵二与所述电爆 炸腔室之 间设有 滤孔小于氮化硼纳米片尺寸的滤膜。 9.根据权利要求7或8所述的制备氮化硼纳米片的装置， 其特征在于， 还包括圆盘送丝 机构； 所述圆盘送丝 机构包括 绝缘圆盘一、 绝 缘圆盘二、 中心转轴 、 旋转把手； 所述中心转轴的一端与所述旋转把手相连， 所述中心转轴的另一端穿过所述电爆炸腔 室与所述电爆 炸腔室可转动连接， 所述绝缘圆盘一和所述绝缘圆盘二从左至右同轴设置在 位于所述电爆炸腔室内的中心转轴上； 所述绝缘 圆盘一的右表面设有多个呈环形阵列分布的所述低压电极一， 所述绝缘圆盘 二的左表面设有多个呈环形阵列分布的所述高压电极一； 所述高压电极一的数量与所述低权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115417386 A 2压电极一的数量一致， 且分别一一配对形成高低压电极， 每对高低压电极之间均设有所述 放电负载。 10.根据权利要求9所述的制备氮化硼纳米片的装置， 其特征在于， 每对高低压电极还 分别与用于铺设六方氮化硼的绝缘托盘相连， 所述绝缘托盘的一端与所述低压电极一相 连， 另一端与所述高压电极一相连。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115417386 A 3