(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211306829.5 (22)申请日 2022.10.25 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 330000 江西省南昌市南昌 高新技术 产业开发区天祥北 大道1717号 (72)发明人 程龙　郑文杰　高虹　刘春杨　 胡加辉　金从龙　 (74)专利代理 机构 广州三环 专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 王建宇 (51)Int.Cl. H01L 33/14(2010.01) H01L 33/22(2010.01) H01L 33/02(2010.01) H01L 33/04(2010.01)H01L 33/00(2010.01) B82Y 30/00(2011.01) B82Y 40/00(2011.01) (54)发明名称 用于深紫外LED的外延片及其制备方法、 深 紫外LED (57)摘要 本发明公开了一种用于深紫外LED的外延片 及其制备方法、 深紫外LED， 涉及半导体光电器件 领域。 其中， 用于深紫外LED的外延片 包括衬底和 依次沉积于所述衬底上的缓冲层、 非掺杂AlGaN 层、 N‑AlGaN层、 多量子阱层、 电子阻挡层、 P ‑ AlGaN层和P型接触层； 其中， 所述P型接触层包 括 依次沉积于所述P ‑AlGaN层上的P型AlGaN粗化 层、 Mg量子点层、 P型AlIn GaN纳米团簇层和三维P 型AlInGaN纳米团簇层。 实施 本发明， 可有效提升 深紫外LED的发光效率。 权利要求书2页 说明书12页 附图1页 CN 115377263 A 2022.11.22 CN 115377263 A 1.一种用于深紫外LED的外延片， 其特征在于， 包括衬底和依次沉积于所述衬底上的缓 冲层、 非掺杂AlGaN层、 N ‑AlGaN层、 多量子阱层、 电子阻挡层、 P ‑AlGaN层和P型接触层； 其中， 所述P型接触层包括依次沉积于所述P ‑AlGaN层上的P型AlGaN粗化层、 Mg量子点 层、 P型Al InGaN纳米团簇层和三维P型Al InGaN纳米团簇层。 2.如权利要求1所述的用于深紫外LED的外延片， 其特征在于， 所述P型AlGaN粗化层中 Al组分的占比大于所述P型AlInGaN纳米团簇层中Al组分的占比， 所述P型AlInGaN纳米团簇 层中Al组分的占比大于所述 三维P型Al InGaN纳米团簇层中Al组分的占比； 所述P型AlInGaN纳米团簇层中In组分的占比小于所述三维P型AlInGaN纳米团簇层中 In组分的占比。 3.如权利 要求1或2所述的用于深紫外LED的外延片， 其特征在于， 所述P型AlGaN粗化层 中Al组分的占比为0.3 ‑0.8， 所述P型AlInGaN纳米团簇层中Al组分的占比为0.2 ‑0.7， 所述 三维P型Al InGaN纳米团簇层中Al组分的占比为0.1 ‑0.6； 所述P型AlInGaN纳米团簇层中In组分的占比为0.05 ‑0.5， 所述三维P 型AlInGaN纳米团 簇层中In组分的占比为0.1 ‑0.6。 4.如权利要求1所述的用于深紫外LED的外延片， 其特征在于， 所述P型AlGaN粗化层中 掺杂元素的掺杂浓度小于所述P型AlInGaN纳米团簇层中掺杂元素的掺杂浓度， 所述P型 AlInGaN纳米团簇层中掺杂元素的掺杂浓度小于所述三维P型AlInGaN纳米团簇层中掺杂元 素的掺杂浓度。 5.如权利 要求1或4所述的用于深紫外LED的外延片， 其特征在于， 所述P型AlGaN粗化层 中掺杂元素的掺杂浓度为1 ×1018‑1×1019atoms/cm3， 所述P型AlInGaN纳米团簇层中掺杂元 素的掺杂浓度为1 ×1019‑1×1020atoms/cm3， 所述三维P型AlInGaN纳米团簇层中掺杂元素的 掺杂浓度为1 ×1020‑1×1021atoms/cm3。 6.一种用于深紫外LED的外延片的制备方法， 用于制备如权利要求1 ‑5任一项所述的用 于深紫外LED的外延 片， 其特征在于， 包括： 提供衬底， 在所述衬底上依次生长缓冲层、 非掺杂AlGaN层、 N ‑AlGaN层、 多量子阱层、 电 子阻挡层、 P ‑AlGaN层和P型接触层； 其中， 所述P型接触层包括依次沉积于所述P ‑AlGaN层上的P型AlGaN粗化层、 Mg量子点 层、 P型Al InGaN纳米团簇层和三维P型Al InGaN纳米团簇层。 7.如权利要求6所述的用于深紫外LED的外延片的制备方法， 其特征在于， 所述P型 AlGaN粗化层的生长温度为750 ‑950℃， 生长压力为300 ‑600torr， 生长气氛为N2、 H2和NH3的 混合气体， 且H2的体积比≤20%； 所述Mg量子点层的生长温度为850 ‑1050℃， 生长压力为100 ‑500torr， 生长气氛为N2或 Ar； 所述P型Al InGaN纳米团簇层的生长温度为80 0‑1000℃， 生长 压力为10 0‑500torr； 所述三维P型Al InGaN纳米团簇层的生长温度为80 0‑1000℃， 生长 压力为10 0‑500torr。 8.如权利要求6所述的用于深紫外LED的外延片的制备方法， 其特征在于， 所述P型 AlGaN粗化层的生长气氛中， N2、 H2和NH3的体积比为 （1 ‑5） :1: （1‑2） 。 9.如权利要求6所述的用于深紫外LED的外延片的制备方法， 其特征在于， 所述P型 AlInGaN纳米团簇层、 三维P型AlInGaN纳米团簇层的生长气氛均为N2、 H2和NH3的混合气体，权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115377263 A 2且N2、 H2和NH3的体积比为1: （5 ‑10） : （1‑5） 。 10.一种深紫外LED， 其特征在于， 包括如权利要求1 ‑5任一项所述的用于深紫外LED的 外延片。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115377263 A 3