(19)国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202211237158.1 (22)申请日 2022.10.11 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 115312637 A (43)申请公布日 2022.11.08 (73)专利权人 罗化芯显示科技 开发 （江苏） 有限 公司 地址 226010 江苏省南 通市开发区星宇路 30号 (72)发明人 陈文娟　李雍　瞿澄　王怀厅　 (51)Int.Cl. H01L 33/00(2010.01) H01L 33/44(2010.01) H01L 33/48(2010.01) H01L 27/15(2006.01) B82Y 40/00(2011.01)(56)对比文件 CN 109802018 A,2019.0 5.24 CN 108899337 A,2018.1 1.27 CN 115084337 A,202 2.09.20 CN 10916 6878 A,2019.01.08 CN 110491895 A,2019.1 1.22 TW 202217783 A,202 2.05.01 CN 113571542 A,2021.10.2 9 CN 114284309 A,202 2.04.05 CN 102376826 A,2012.0 3.14 CN 113314654 A,2021.08.27 CN 111403430 A,2020.07.10 US 2020074917 A1,2020.0 3.05 JP 2019125780 A,2019.07.25 US 20210 05642 A1,2021.01.07 审查员 魏芳芳 (54)发明名称 一种Micro-LED显示装置及其制造方法 (57)摘要 本发明涉及一种Micro ‑LED显示装置及其制 造方法， 涉及微发光二极管显示制造领域。 在本 发明的Micro ‑LED显示装置的制造方法中， 通过 将多个所述外延基底转移至所述第一转移基板， 然后再将第一转移 基板上的Micro ‑LED单元转移 至驱动基板， 有效提高了转移效率。 且通过在转 移工序之前， 在任意相邻两个所述Micro ‑LED单 元之间形成第一金属柱， 然后形成像素限定材料 层以包裹每个所述Micro ‑LED单元和每个所述第 一金属柱， 由于第一金属柱的存在可以避免多个 Micro‑LED单元所组成的发光层变形翘曲， 进而 可以提高转移精度。 且由于纳米线网格层的存 在， 可以提高像素限定材料层与所述第一金属柱 的接合稳固性以及像 素限定材料层与Micro ‑LED 单元的接合稳固性。 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 CN 115312637 B 2022.12.16 CN 115312637 B 1.一种Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特 征在于： 包括以下步骤： 提供多个外延基底， 在每个所述外延基底上均外延生长N型半导体层、 量子阱有源发光 层和P型半导体层； 提供第一 转移基板， 将多个所述外延基底转移至所述第一 转移基板； 对每个所述外延基底上的所述N型半导体层、 所述量子阱有源发光层和所述P型半导体 层进行图案化处 理， 以在所述第一 转移基板上 形成多个呈阵列排布的Micro ‑LED单元； 在所述第一转移基板上形成钝化层， 所述钝化层覆盖每个所述Micro ‑LED单元的顶面 和侧面； 在任意相邻两个所述Micro ‑LED单元之间形成第一金属柱； 在所述第一转移基板上旋涂或喷涂纳米线溶液以形成纳米线 网格层， 所述纳米线网格 层覆盖所述Micro ‑LED单元的顶面和 侧面以及所述第一金属柱的顶面和 侧面； 在所述第一转移基板上形成像素限定材料层， 所述像素限定材料包裹每个所述Micro ‑ LED单元和每个所述第一金属柱； 对所述像素限定材料层进行平坦化处理， 以暴露每个所述Micro ‑LED单元的P型半导体 层， 接着在每 个所述Micro ‑LED单元的P型半导体层上 形成导电 电极； 提供一驱动基板， 将所述第一转移基板上的每个所述Micro ‑LED单元转移至所述驱动 基板； 去除所述第一 转移基板和所述外延基底。 2.根据权利要求1所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 在所述第一转 移基板上设置多个第一凹槽， 每 个所述外延基底嵌入到相应的所述第一凹槽中。 3.根据权利要求2所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 所述第一凹槽 的深度等于所述外延基底的厚度。 4.根据权利要求1所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 所述钝化层的 材质是氧化铝、 氧化硅、 氮化硅、 二氧化锆、 氧化 铪中的一种或多种。 5.根据权利要求1所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 所述第一金属 柱为铜柱或铝柱， 所述第一金属柱通过化学气相沉积工艺、 物理气相沉积工艺、 电镀工艺或 化学镀工艺形成。 6.根据权利要求1所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 所述纳米线溶 液中的纳米线为金属材 料纳米线、 绝 缘材料纳米线或半导体材 料纳米线。 7.根据权利要求1所述的Micro ‑LED显示装置的制造方法， 其特征在于： 所述纳米线网 格层中存在孔隙， 在形成像素限定材料层的过程中， 所述纳米线网格层增加像素限定材料 层与所述第一金属柱的接合稳固性。 8.一种Micro ‑LED显示装置， 其特征在于， 采用权利要求1 ‑7任一项所述的Micro ‑LED显 示装置的制造方法制造形成的。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115312637 B 2一种Micro ‑LED显示装 置及其制造方 法 技术领域 [0001]本发明涉及微发光二极管显示制造领域， 具体涉及一种Micro ‑LED显示装置及其 制造方法。 背景技术 [0002]Micro‑LED显示利用微米尺寸的无机LED器件作为发光像素， 来实现主动发光矩阵 式显示。 从显示技术原理来讲， Micro ‑LED与有机发光二极管OLED、 量子点发光二极管QLED 都属于主动发光式显示技术。 但不同的是， Micro ‑LED显示使用无机GaN等LED芯片， 其具有 发光性能优异、 寿命长等优点。 但是目前的Micro ‑LED显示装置在芯片、 背板、 巨量转移、 全 彩化、 接合、 驱动和检测维修 等方面仍然存在一些技 术瓶颈。 发明内容 [0003]本发明的目的是克服上述现有技术 的不足， 提供一种Micro ‑LED显示装置及其制 造方法。 [0004]为实现上述目的， 本 发明提出的一种Micro ‑LED显示装置的制造方法， 包括以下步 骤： [0005]提供多个外延基底， 在每个所述外延基底上均外延生长N型半导体层、 量子阱有源 发光层和P型半导体层； [0006]提供第一 转移基板， 将多个所述外延基底转移至所述第一 转移基板； [0007]对每个所述外延基底上的所述N型半导体层、 所述量子阱有源发光层和所述P型半 导体层进行图案化处 理， 以在所述第一 转移基板上 形成多个呈阵列排布的Micro ‑LED单元； [0008]在所述第一转移基板上形成钝化层， 所述钝化层覆盖每个所述Micro ‑LED单元的 顶面和侧面； [0009]在任意相邻两个所述Micro ‑LED单元之间形成第一金属柱； [0010]在所述第一转移基板上旋涂或喷涂纳米线溶液以形成纳 米线网格层， 所述纳 米线 网格层覆盖所述Micro ‑LED单元的顶面和 侧面以及所述第一金属柱的顶面和 侧面； [0011]在所述第一转移基板上形成像素限定材料层， 所述像素限定材料包裹每个所述 Micro‑LED单元和每个所述第一金属柱； [0012]对所述像素限定材料层进行平坦化处理， 以暴 露每个所述Micro ‑LED单元的P型半 导体层， 接着在每 个所述Micro ‑LED单元的P型半导体层上 形成导电 电极； [0013]提供一驱动基板， 将所述第一转移基板上的每个所述Micro ‑LED单元转移至所述 驱动基板 。 [0014]去除所述第一 转移基板和所述外延基底。 [0015]作为优选 的技术方案， 在所述第一转移基板上设置多个第一凹槽， 每个所述外延 基底嵌入到相应的所述第一凹槽中。 [0016]作为优选的技 术方案， 所述第一凹槽的深度等于所述外延基底的厚度。说　明　书 1/5 页 3 CN 115312637 B 3