(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211135345.9 (22)申请日 2022.09.19 (71)申请人 西南交通大 学 地址 610000 四川省成 都市二环路北一段 (72)发明人 李中　唐涛　欧建臻　程银芬　 余昊　梁一　 (74)专利代理 机构 北京中索 知识产权代理有限 公司 11640 专利代理师 唐亭 (51)Int.Cl. C01B 19/04(2006.01) G01N 27/12(2006.01) B82Y 30/00(2011.01) B82Y 40/00(2011.01) (54)发明名称 一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及 应用 (57)摘要 本发明涉及材料制备技术领域， 公开了一种 二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及应用， 包括 以下步骤： 步骤1： 将GaSe粉末置于溶剂中， 超声 处理； 步骤2： 在步骤1得到的溶液中滴加 H2O2； 其 中GaSe粉末和H2O2的比例为4： 1； 步骤3： 滴加完 成后超声处理， 离心得到含二维氧掺杂GaSe纳米 片； 本发明得到的氧掺杂GaSe纳米片制备得到的 气敏传感器件， 在UV光激发条件下实现了室温下 的可逆传感， 其具有较低的NO2检测极限， 较快的 气敏响应和恢复速度以及优异的气体 选择性。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 115385309 A 2022.11.25 CN 115385309 A 1.一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备 方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 步骤1： 将GaSe粉末置 于溶剂中， 超声处 理； 步骤2： 在步骤1得到的溶 液中滴加H2O2水溶液； 其中GaSe粉末和H2O2的质量比为 4： 1； 步骤3： 滴加完成后超声处 理， 离心后得到二维氧掺杂GaSe纳米片。 2.根据权利要求1所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法， 其特征在于， 所述步 骤1中GaSe粉末首 先进行研磨， 研磨时间为3 0 min。 3.根据权利要求1所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法， 其特征在于， 所述步 骤1中溶剂为异丙醇。 4.根据权利要求1所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法， 其特征在于， 所述步 骤1中超声功率 为100 W， 超声时间为2  h。 5.根据权利要求1所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法， 其特征在于， 所述步 骤2中H2O2水溶液滴加时间为3 0 min。 6.根据权利要求1所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法， 其特征在于， 所述步 骤3中离心转速为4000  rpm， 离心时间为30  min， 得到离心后上清液， 然后以10000  rpm的高 速离心收集上清液中的材 料。 7.如权利要求1～6任一项所述二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法得到的二维氧掺杂 GaSe纳米片的应用， 其特 征在于， 二维氧掺杂GaSe纳米片用于制备气体传感器。 8.根据权利要求7所述的一种二维氧掺杂GaSe纳米片的应用， 其特征在于， 所述气体传 感器的制备过程如下： 将含有二 维氧掺杂GaSe纳米片分散液滴注在 插值电极上即可得到气 体传感器。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115385309 A 2一种二维氧掺 杂GaSe纳米片的制备方 法及应用 技术领域 [0001]本发明涉及材料制备技术领域， 具体涉及一种二维氧掺杂GaSe纳 米片的制备方法 及应用。 背景技术 [0002]二维材料的氧掺杂是改变和增强二维材料器件性能的重要策略之一。 二维材料经 氧掺杂后能获得性能的提升， 包括器件的化学稳定性、 宽带隙、 高开/ 关比、 高迁移 率和透明 性等。 各种二维材料共混的掺杂， 在器件最大化电子迁移率和光电异质结构方面有着巨大 的前景和潜力。 随着二维材 料器件的发展， 各种特殊需要不断提出。 [0003]现有的二维氧掺杂技术如CN106898691A公开了一种氧掺杂二硫化钼热电材料的 制备方法， 氧掺杂二硫化钼热电材料的制备方法包括以下步骤： 首先称取一定质量的MoS2 粉末， 平铺于刚玉舟中， 然后放到水平管式炉的石英管中， 升到一定的温度， 在空气气氛下 恒温一定时间， 得到氧掺杂二硫化钼粉末。 这种方法制备过程复杂， 不适合进行工业化生 产。 发明内容 [0004]本发明针对现有技术存在的问题提供一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备方法及 应用。 [0005]本发明采用的技 术方案是： 一种二维氧掺杂GaSe纳米片的制备 方法， 包括以下步骤： 步骤1： 将GaSe粉末置 于溶剂中， 超声处 理； 步骤2： 在步骤1得到的溶液中滴加H2O2水溶液； 其中GaSe粉末和H2O2的质量比为4： 1； 步骤3： 滴加完成后超声处 理， 离心得到二维氧掺杂GaSe纳米片。 [0006]进一步的， 所述 步骤1中GaSe粉末首 先进行研磨， 研磨时间为3 0 min。 [0007]进一步的， 所述 步骤1中溶剂为异丙醇。 [0008]进一步的， 所述 步骤1中超声功率 为100 W， 超声时间为2  h。 [0009]进一步的， 所述 步骤2中H2O2水溶液滴加时间为3 0 min。 [0010]进一步的， 所述步骤3中离心转速为4000  rpm， 离心时间为30  min， 得到离心后上 清液， 然后以10 000 rpm的高速 离心收集上清液中的材 料。 [0011]二维氧掺杂GaSe纳米片的应用， 二维氧掺杂GaSe纳米片用于制备气体传感器。 [0012]进一步的， 所述气体传感器 的制备过程如下： 将含有二维氧掺杂GaSe纳米片分散 液滴注在插值电极上即可 得到气体传感器。 [0013]本发明的有益效果是： （1） 本发明通过简单的制备方法实现二维材料的剥离和氧的掺杂， 得到玻璃的二 维GaSe纳米片， 其平均厚度为3.7  nm；说　明　书 1/3 页 3 CN 115385309 A 3