ICS31.200 CCSL57 中华人民共和国国家标准 GB/T44797—2025 微波混合集成电路 合成频率源 Microwavehybridintegratedcircuits—Synthesizedfrequencysources 2025-01-24发布 2025-01-24实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)归口。 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子技术标准化研究院、合肥宝发动 力技术有限公司、安徽松菱电器有限公司、深圳市锦弘兴科技有限公司、山东省中智科标准化研究院有 限公司、安徽大衍半导体科技有限公司。 本文件主要起草人:朱大成、郭文胜、蒋旭东、张加程、王琪、陈玲玲、崔从俊、吴贤斌。 ⅠGB/T44797—2025 微波混合集成电路 合成频率源 1 范围 本文件规定了合成频率源的定义、技术要求和检验规则、标志,描述了测试方法。 本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T4937.3—2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 GB/T4937.21—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 GB/T8976—1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T9178—1988 集成电路术语 GB/T11498—2018 半导体器件 集成电路 第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范 (采用鉴定批准程序) GB/T13062—2018 半导体器件 集成电路 第21-1部分:膜集成电路和混合膜集成电路空白 详细规范(采用鉴定批准程序) GB/T35002—2018 微波电路 频率源测试方法 3 术语和定义 GB/T9178—1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 合成频率源 synthesizedfrequencysources 采用频率合成技术产生的频率源,即通过对参考基准频率进行某种数学运算来获取大量与参考基 准频率相同精确度的信号,然后再根据实际需要来选择所需的频率。 注:合成频率源根据合成原理的不同主要分为三种:直接合成频率源、锁相式合成频率源、直接数字合成频率源。 4 参数分类和特性要求 4.1 静态参数 合成频率源的静态参数应包含电源电流。 4.2 动态参数 合成频率源的动态参数指标如下: 1GB/T44797—2025 a) 输出频率(f0); b) 输出功率(PO); c) 谐波抑制度(Rfn); d) 杂波抑制度(Rfs); e) 单边带相位噪声(L(f)); f) 功率平坦度(ΔPO)(规定时); g) 功率温度稳定度(ΔPT)(规定时); h) 频率步进(fstep)(规定时); i) 频率时间稳定度(St)(规定时); j) 频率温度稳定度(ST)(规定时); k) 频率准确度(A)(规定时); l) 跳频时间(tp)(规定时); m) 隔离度(Is)(规定时); n) 建立时间(Tset)(规定时)。 4.3 降额 应符合GB/T11498—2018中2.2的规定。 4.4 封装特性 为方便使用,应按GB/T11498—2018中2.3.1的规定。应有电路外形图,以便容易识别,并同其他 电路比较。通常,应给出壳体的长、宽和高,以及引出端间距的数值,对于圆柱形应给出壳体的直径、长 度和引出端的直径。 4.5 安装 安装要求应符合GB/T11498—2018中2.3.2的规定。 4.6 其他特性指标 为方便使用,应规定以下适用的特性: a) 工作温度范围(TA):除另有规定外,一般为0℃~70℃、-40℃~85℃、-55℃~85℃、 -55℃~125℃,或按GB/T8976—1996中2.5的相关规定; b) 贮存温度范围(Tstg):除另有规定外,一般为-65℃~150℃; c) 静电敏感度等级(ESDS); d) 电路工艺、类型或功能的简要说明; e) 典型或特殊结构说明(适用时); f) 质量评定水平,如果电路采用了未经鉴定的外加元器件,应按GB/T13062—2018的有关规 定,评定水平应加后缀“N”。 5 电特性测试方法 5.1 一般环境条件 除另有规定外,测试的标准大气条件应符合GB/T8976—1996的中4.2.1相关规定。 5.2 静态参数 电源电流按照GB/T35002—2018中5.13的规定。 2GB/T44797—2025 5.3 动态参数 5.3.1 输出频率 按照GB/T35002—2018中5.1的规定。 5.3.2 输出功率 按照GB/T35002—2018中5.6的规定。 5.3.3 谐波抑制度 按照GB/T35002—2018中5.9的规定。 5.3.4 杂波抑制度 按照GB/T35002—2018中5.10的规定。 5.3.5 单边带相位噪声 按照GB/T35002—2018中5.11的规定。 5.3.6 功率平坦度(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.7的规定。 5.3.7 功率温度稳定度(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.8的规定。 5.3.8 频率步进(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.2的规定。 5.3.9 频率时间稳定度(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.3的规定。 5.3.10 频率温度稳定度(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.4的规定。 5.3.11 频率准确度(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.5的规定。 5.3.12 跳频时间(规定时) 按照GB/T35002—2018中5.12的规定。 5.3.13 隔离度(规定时) 使用频谱分析仪测试两路频率源输出之间的功率差既为隔离度。 5.3.14 建立时间(规定时) 测试从电源电压上电稳定后到输出频率稳定后之间的时间。 3GB/T44797—2025 6 检验规则 6.1 通则 产品应经检验合格方能出厂,并附有证明产品质量合格的文件或标记。 与GB/T11498—2018、GB/T8976—1996的要求不一致时,以本文件为准。 6.2 检验要求 鉴定批准程序应符合GB/T11498—2018和6.4的规定。 检查水平(IL)、接收质量限(AQL)、批允许不合格品率(LTPD)、固定样本大小和试验周期,应按 GB/T11498—2018中表7的规定,并纳入到产品详细规范中。表1~表6中“×”为要求项目,“—”为 非要求项目,其中相关字母含义如下: ———p:周期(以月为单位); ———n:样本大小; ———c:合格判定数(允许不合格品数); ———D:破坏性的; ———ND:非破坏性的。 6.3 筛选 在提交鉴定检验和质量一致性检验前,产品应按表1的规定进行筛选检验。 表1 筛选 步骤检查或试验对应GB/T8976—1996 章条号详细要求和条件顺序 A组B组C组D组E组 1a封盖前目检 4.3.1 ×———— 2高温贮存 4.5.1 最高贮存温度下24h ×××—× 3温度快速变化4.5.810次循环 最低贮存温度/最高贮存温度×××—× 4a恒定加速度 4.5.7在最严格的方向上,加速度值按详 细规范规定×××—— 5a密封 4.5.9 ××× 6电测试(老炼前)选择电特性参数见5.2和5.3的 要求。 剔除不合格品×b×—×— 7老炼 按详细规范规定× 168h× 72h—× 48h— 8电测试(老炼后)按本表第6项规定剔除不合格 品,如不合格数超过10%,则批拒收××××× 注1:筛选在A组、B组和C组检验前进行。 注2:按具体型号产品详细规范的规定可要求追加筛选后试验。 a除产品详细规范中另有规定外,一般不适用于非空封器件。 b除产品详细规范中另有规定外,应记录测量结果。 4GB/T44797—2025