ICS31.200 CCSL56 中华人民共和国国家标准 GB/T44801—2024 系统级封装(SiP)术语 Terminologyofsysteminpackage(SiP) 2024-10-26发布 2024-10-26实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 通用术语 1 ………………………………………………………………………………………………… 4 材料和基板术语 2 ………………………………………………………………………………………… 5 工艺和封装术语 4 ………………………………………………………………………………………… 参考文献 10 …………………………………………………………………………………………………… 索引 11 ………………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T44801—2024 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)归口。 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第二十九研究所、中国科学院微电子研究所、清华大学、 复旦大学、天水七四九电子有限公司、池州华宇电子科技股份有限公司。 本文件主要起草人:季兴桥、于慧慧、贾松良、万里兮、陆吟泉、伍艺龙、罗建强、卢茜、彭勇、李彦睿、 曾策、徐榕青、向伟玮、董乐、来晋明、李习周、屈新萍、潘玉华、代晓丽、吕英飞、李悦、黎孟、吕拴军、高峰。 ⅢGB/T44801—2024 系统级封装(SiP)术语 1 范围 本文件界定了系统级封装(SiP)在生产制造、工程应用和产品试验等方面与材料、工艺、组装、封装 相关的通用术语和专用术语。 本文件适用于与系统级封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 通用术语 3.1 系统级封装 systeminpackage;SiP 将多种功能的芯片、封装或它们的组合集成于单个封装内的系统或子系统,它可任选地包含无源元 件、微机电系统(MEMS)、光学元器件、其他封装和器件。 注:SiP一般是单个封装内集成了一个系统或子系统。 3.2 封装上系统 systemonpackage;SoP 将元器件、封装、系统或子系统集成到一个封装内。 注:SoP是单个封装内集成了多个系统或子系统,无源元件以薄膜形式集成在基板内是它的特点。 3.3 片上系统 systemonchip;SoC 在单个芯片上集成一个完整的系统或子系统。 注:一般包含微处理器及其模拟IP核或数字IP核或存储器或片外存储控制接口等。 3.4 异质异构集成 heterogeneousintegration 通过微纳制造工艺,实现不同材料、不同工艺、不同结构、不同功能单元的集成。 3.5 混合集成电路 hybridintegratedcircuit 由半导体集成电路与膜集成电路任意结合,或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成电路。 [来源:GB/T12842—1991,2.1.11] 3.6 多芯片模块 multi-chipmodule;MCM 多芯片组件 一种混合集成电路,其内部装有两个或两个以上超大规模集成电路裸芯片。 3.7 多芯片封装 multi-chippackage;MCP 包含多个集成电路的封装。 1GB/T44801—2024 3.8 多芯片集成电路 multi-chipintegratedcircuit;MCIC 含两个或多个芯片的半导体集成电路。 [来源:GB/T2900.66—2004,521-10-10] 4 材料和基板术语 4.1 热界面材料 thermalinterfacematerial;TIM 用于散热装置与发热器件之间降低它们接触热阻的导热材料。 注:热界面材料能为导热脂、导热胶、相变材料、焊料等。 4.2 底填料 underfillmaterial 用于倒装底部与基板之间填充间隙的有机聚合物材料。 4.3 各向异性导电胶 anisotropicconductiveadhesive 垂直方向能导电水平方向不能导电的粘接胶。 4.4 各向同性导电胶 isotropicconductiveadhesive 垂直和水平方向都能导电的粘接胶。 4.5 金刚石铜 diamondcopper 金刚石颗粒和铜的复合材料。 注:通常金刚石体积分数为40%~70%,热导率550W/(m·K)~900W/(m·K),热膨胀系数为6×10-6/℃~ 8×10-6/℃,密度5g/cm3~6g/cm3,抗弯强度200MPa~400MPa,一般用于大热耗器件、半导体激光器、射频 和微波封装热沉等。 4.6 金刚石铝 diamondaluminum 金刚石颗粒和铝的复合材料。 注:通常金刚石体积分数为40%~70%,热导率500W/(m·K)~700W/(m·K),热膨胀系数为7×10-6/℃~ 10×10-6/℃,弯曲强度200MPa~300MPa,一般用于大热耗器件、半导体激光器、射频和微波封装热沉等。 4.7 高硅铝合金 highsiliconaluminum 硅含量在40%以上,采用粉末冶金或喷射成型制成的硅和铝的复合材料。 注:通常密度2.4g/cm3~2.6g/cm3,热导率120W/(m·K)~140W/(m·K),热膨胀系数为7.5×10-6/℃~14× 10-6/℃,用于高密度组件的封装外壳。 4.8 铝基碳化硅 Aluminumsiliconcarbide;AlSiC 采用铝作为基体,碳化硅作为增强体制成的复合材料,铝与碳化硅之间有明显的界面,界面冶金结 合并且没有不良界面反应。 注:铝基碳化硅充分发挥了碳化硅的低膨胀、高导热和金属铝导电导热等优势,具有高导热性、与芯片相近的热膨 胀系数、低密度、高硬度、高刚度和高抗弯强度等特性。 2GB/T44801—2024