(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211011973.6 (22)申请日 2022.08.23 (71)申请人 徕泰信光 （深圳） 半导体有限责任公 司 地址 518117 广东省深圳市龙岗区坪 地街 道高桥社区教育北路49号 4栋401 (72)发明人 张建国　王广飞　孟祥翔　谢赛博　 杨冬雅　 (74)专利代理 机构 深圳市科进知识产权代理事 务所(普通 合伙) 44316 专利代理师 孟洁 (51)Int.Cl. G01N 21/31(2006.01) G01N 21/01(2006.01) (54)发明名称 一种半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收 率的测试方法 (57)摘要 本发明涉及半导体多层膜 技术领域。 本发 明 提供了一种半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸 收率的测试方法， 通过构建参考膜、 对比膜， 参考 膜和对比膜中所用基底、 整体的厚度均完全相 同， 唯一不同的是参考膜和对比膜中高折射率薄 膜、 低折射率薄膜之间的界面层数不同， 两者在 中心波长处具有相同的光学特性， 因此构建的参 考膜和对比膜可以用于研究薄膜与薄膜界面之 间的光吸收； 通过本发明的方法可以测试多层膜 体系的膜 ‑膜间界面光吸收， 进而对薄膜 ‑薄膜间 的界面吸收损耗进行评估； 本发 明的测试方法适 用于不同折射率大小的薄膜之间的界面光吸收， 也适用于不同厚度下的薄膜之间的界面光吸收， 具有良好的通用性和拓展性。 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 CN 115406848 A 2022.11.29 CN 115406848 A 1.一种半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在于， 包括以下步 骤： 构建参考膜， 所述参考膜包括： 第一基底以及位于所述第一基底上相互叠加的第一高 折射率薄膜、 第一低折 射率薄膜； 构建对比膜， 所述对比膜包括： 第二基底以及位于所述第二基底上多个相互依次交错 设置的第二高折 射率薄膜、 第二低折 射率薄膜； 所述第一高折射率薄膜、 所述第二高折射率薄膜所用的材料相同； 所述第一低折射率 薄膜、 所述第二低折 射率薄膜所用的材 料相同； 所述第一基底、 所述第二基底的厚度以及所用的材 料均相同； 所述第一高折 射率薄膜的厚度等于多个第二高折 射率薄膜的厚度之和； 所述第一低折 射率薄膜的厚度等于多个第二低折 射率薄膜的厚度之和； 测试所述参考膜在中心波长下的光吸 收率； 测试所述对比膜在中心波长下的光吸 收率； 将对比膜中光吸 收率减去参 考膜光吸 收率， 得到光吸 收率差值； 将所述对比膜中第 二高折射率薄膜、 第 二低折射率薄膜的界面层数减去所述参考膜中 第一高折 射率薄膜与第一低折 射率薄膜的界面层数， 得到界面层数差值； 将光吸收率差值除以界面层数差值即得膜 ‑膜间界面光吸收率。 2.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第二高折 射率薄膜的厚度为第二高折 射率薄膜的1/2波长的光学厚度。 3.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第二低折 射率薄膜的厚度为第二低折 射率薄膜的1/2波长的光学厚度。 4.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一 高折射率薄膜、 所述第二 高折射率薄膜所用的材料包括Ta2O5、 Ti3O5、 TiO2、 ZnS 中的任一种。 5.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一低折射率薄膜、 第二低折射率薄膜所用的材料包括SiO2、 Al2O3、 MgF2中的任一 种。 6.如权利要求4所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一高折射率薄膜、 所述第二高折射率薄膜所用的材料为TiO2， 所述第一高折射率 薄膜、 所述第二高折 射率薄膜的折 射率为2.53。 7.如权利要求5所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一低折射率薄膜、 第二低折射率薄膜所用的材料为SiO2， 所述第一低折射率薄 膜、 第二低折 射率薄膜的折 射率为1.48。 8.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一基底、 所述第二基底均为透明基底。 9.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收率的测试方法， 其特征在 于， 所述第一基底、 所述第二基底所用的材料包括7980玻璃、 K9玻璃、 氟化钙玻璃、 熔融石英 中的任一种。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115406848 A 2一种半导体多层膜体系膜 ‑膜间界面光吸收 率的测试方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体多层膜技术领域， 尤其涉及一种半导体多层膜体系膜 ‑膜间界 面光吸收率的测试 方法。 背景技术 [0002]由于半导体制造是在硅片上加工出各种微观结构， 因此除了原始的硅基材料外还 需要通过沉积多层薄膜体系引入非硅材料(如非硅介质层、 金属层)实现不同功能。 半导体 薄膜器件通常需要引入多种材料外， 薄膜工艺还 具有隔离保护高活性材料(如Si、 Cu)， 防止 污染和腐蚀。 薄膜工艺也会承担一部分光阻的职能， 常用于产生提高 吸光率的减反射膜、 硬 掩模等。 [0003]半导体多层膜器件薄膜沉积指通过物理或化学等方在基片上沉积各种材料的过 程， 常见的有物理气相沉积(PVD)、 化学沉积(CVD)及原子层沉积(ALD)等各种方法。 因此， 半 导体多层膜体系涉及薄膜层数多、 种类多对工艺要求极高。 其中半导体多层膜体系中膜层 ‑ 膜层间的光学吸收损耗是影响半导体元件关键因素之一。 直接影响了器件的损耗大小、 稳 定性及使用寿命等 性能。 [0004]从多层膜薄膜元件结构角度来讲， 如图1所示， 光学薄膜元件可以分为基底吸收a、 基底与薄膜界面 吸收b、 薄膜吸收c、 薄膜与薄膜间界面 吸收d、 薄膜吸收e吸收四部分。 其中 如基底吸收， 薄膜吸收等吸收率的大小可以通过吸收测试表征手段获得。 其中薄膜与薄膜 间界面吸收由于存在多层面系统中， 不是独立存在， 因而很难通过吸收测试直接获得。 但薄 膜与薄膜间界面往往是电磁场场强最大的位置， 导致的界面吸收也通常整个元件中 吸收率 最大的部分， 因而， 不同薄膜材料交叠的界面位置是最易导致薄膜元件产生缺陷、 性能畸 变、 发生破损的位置。 薄膜与薄膜间界面吸收来源于制备过程中膜料的交替叠加， 使得界面 处的杂质浓度高于膜体中的杂质浓度， 导致吸收截面的产生。 同时， 在薄膜元件的储藏、 使 用过程中， 膜系 与空气界面大量吸附大气中杂质与水分， 水分向膜层纵深渗透， 并充满各个 界面处的微观空隙， 尤其在多层膜系统中， 存在大量的薄膜 ‑薄膜界面吸收， 因此需要格外 关注薄膜间的界面吸收特性。 吸收损耗的存在不仅直接影响多层膜器件的性能， 更重要的 是薄膜吸收光源所产生的温度升高以及相伴而来的各种热应力效应是导致半导体薄膜器 件性能退化或损伤的重要原因。 特别对于电磁场较强的多层膜系统中， 存在多种、 多个薄 膜‑薄膜间的吸收， 因此即使十 分微弱的吸收也 足以导致薄膜元件性能的降低甚至破坏， 严 重影响元件的性能。 然而， 目前并没有技术 公开对半导体多层膜体系中薄膜 ‑薄膜间的界面 光吸收损耗进行测试评估。 [0005]因此， 合理评估半导体多层膜体系中薄膜 ‑薄膜间的界面光吸收损耗， 对于研制高 性能， 高稳定性半导体薄膜器件起到 重要作用。 发明内容 [0006]鉴于现有技术存在的不足， 本发明的目的是提供一种半导体多层膜体系膜 ‑膜间说　明　书 1/7 页 3 CN 115406848 A 3