(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211290308.5 (22)申请日 2022.10.21 (71)申请人 滁州钰顺企业管理咨询合 伙企业 （有限合 伙） 地址 239200 安徽省滁州市来 安县经济开 发区中央大道38号 (72)发明人 叶顺闵　林伯璋　蔡孟霖　许邦泓　 萧维彬　 (74)专利代理 机构 北京七夏专利代理事务所 (普通合伙) 11632 专利代理师 刘毓珍 (51)Int.Cl. F26B 21/00(2006.01) H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法 (57)摘要 本发明属于半导体制造技术领域， 具体涉及 一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 包括如下步 骤： S1、 在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯 水槽位； S2、 将蚀刻后的晶圆连同晶舟盒一起置 入提篮治具； S3、 将提篮治具放入异丙醇+纯水槽 位内浸泡片刻后拉起； S4、 将提篮治具放入热氮 气槽位内， 将晶圆上残留的水渍吹干， 本发明改 善了晶圆干燥流程， 解决了晶圆背面蚀刻后因清 洗产生的水渍问题。 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 CN 115507640 A 2022.12.23 CN 115507640 A 1.一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特 征在于， 包括如下步骤： S1、 在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯 水槽位； S2、 将蚀刻后的 晶圆连同晶舟盒一 起置入提篮治具； S3、 将提篮治具放入异丙醇+纯 水槽位内浸泡片刻后拉起； S4、 将提篮治具放入热氮气槽位内， 将晶圆上残留的水渍吹干 。 2.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特征在于： 所述步骤S1中， 异丙醇与纯 水的比例为3:10 。 3.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特征在于： 所述步骤S3中， 浸泡时间为5 ‑10秒。 4.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特征在于： 所述提篮治具下 方设有孔 位。 5.如权利要求1所述的一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特征在于： 所述热氮气槽位 上方设有一可掀式盖 子， 所述盖 子下表面设有气孔。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115507640 A 2一种晶圆背面蚀刻后干 燥的方法 技术领域 [0001]本发明属于半导体制造技 术领域， 具体涉及一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法。 背景技术 [0002]现今半导体技术与日俱进， 而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成 后续封装制程能将数个薄化芯片堆栈封装包覆， 且晶圆薄化可让芯片具备低功 率与低导通 阻抗之优点， 不仅有效延长产品寿命， 更有效提升使用上的效率。 [0003]晶背金属化制程是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术， BSM运用电子束 蒸镀或金属溅镀制程， 在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材， 以达到较佳 的散热 及导电效果。 在晶圆背面减薄后进行 晶圆背面蚀刻制程时， 会使用到化学液， 如氢氟酸、 硝 酸、 冰醋酸， 在蚀刻后需以纯水做清洗动作把晶圆表面的化学液清洗干净， 清洗完后需将晶 圆表面做干燥处理， 以防止晶圆表面残留水渍或形成氧化层， 造成后续晶圆背面金属 化蒸 镀制程时蒸镀靶材附着效果 不佳产生异常。 发明内容 [0004]针对现有技术中存在的上述不足之处， 本发明提供了一种晶圆背面蚀刻后干燥的 方法， 用以解决上述现有的问题。 [0005]为了解决上述 技术问题， 本发明采用了如下技 术方案： [0006]一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法， 其特 征在于， 包括如下步骤： [0007]S1、 在化学槽QDR清洗后设置一个异丙醇+纯 水槽位， 异丙醇与纯 水的比例为3:10； [0008]S2、 将蚀刻后的 晶圆连同晶舟盒一 起置入提篮治具； [0009]S3、 将提篮治具放入异丙醇+纯 水槽位内浸泡片刻后拉起， 浸泡时间为5 ‑10秒； [0010]S4、 将提篮治具放入热氮气槽位内， 将晶圆上残留的水渍吹干 。 [0011]进一步， 所述提篮治具 下方设有孔 位， 以利后续 排水。 [0012]进一步， 所述热氮气槽位上方设有一可掀式盖子， 所述盖子下表面设有气孔， 热氮 气透过气孔往下吹拭， 将晶圆上残留的水渍吹干 。 [0013]本发明与现有技 术相比， 具有如下有益效果： [0014]本发明改善了 晶圆干燥流程， 解决了 晶圆背面蚀刻后因清洗产生的水渍问题， 避 免了因水渍或者晶圆表面残留的水汽而产生氧化层， 可防止因氧化层导致后续晶圆背面金 属化蒸镀制程时蒸镀靶材附着效果 不佳的异常情况发生， 大 大提升了产品良率。 附图说明 [0015]图1为本发明一种 晶圆背面蚀刻后干燥的方法实施例中提篮治具的结构示意图 (置入晶圆和晶舟盒)； [0016]图2为本发明一种晶圆背面蚀刻后干燥的方法实施例中热氮气槽位的结构示意图 (置入提篮治具)；说　明　书 1/2 页 3 CN 115507640 A 3