ICS 29.045 H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T35308—2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片 Epitaxial wafers of germanium based II-V compounds for solar cell 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35308—2017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC02）共同提出并归口。 本标准起草单位：天津三安光电有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、有色金属技术经济研 究院 本标准主要起草人：毕京锋、宋明辉、李森林、陈文浚、吴超瑜、王笃祥、杨素心 1 GB/T353082017 太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片 1范围 牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书 本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL检索的逐批检验抽样计划 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8758砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T24580重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 GB/T31227 原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 白点whitedots 外延片上直径大于1mm、且小于2mm的亮点。 3.2 晶片污染 wafercontamination 由于衬底加工过程或外延过程异常导致外延片表面形成直径大于2mm的非定向散光现象。 3.3 晶格失配度 lattice mismatch 数值上等于外延层晶格常数a。与衬底晶格常数a之差除以衬底的晶格常数α是描述衬底与外 延层晶格匹配的常量。 4分类及牌号 4.1分类 4.1.1外延片按照外延结构分为晶格匹配电池外延片和晶格失配电池外延片。 4.1.2外延片按衬底直径主要分为@50mm，Φ100mm、@150mm、Φ200mm四种。 1 SAG GB/T35308—2017 4.2牌号 4.2.1外延片的牌号表示为： 短横 空格 空格 空格 -4 2 - 1 4.2.2牌号的第1项表示外延片的电池类型，分别如下： a) LM表示晶格匹配结构； b) MM表示晶格失配结构； c) ILM表示倒装晶格匹配结构； IMM表示倒装晶格失配结构。 4.2.3 牌号的第2项表示外延片的电池结数，分别如下： a) S表示单结太阳能电池； b) 2J表示双结太阳能电池； 3J表示三结太阳能电池； c) 4J表示四结太阳能电池； e) 5J表示五结太阳能电池； f) 6J表示六结太阳能电池。 4.2.4 牌号的第3项表示外延片结构，用每一结电池基区材料的分子式表示外延片的名称。 4.2.5 牌号的第4项表示外延片的直径大小，分别如下： a) Φ50表示直径为50mm； b) @100表示直径为100mm； c) Φ150表示直径为150mm； (P @200表示直径为200mm。 4.2.6 牌号的第5项表示外延片的编号。 4.2.7 外延片的牌号示例如下： 牌号为： LM-3J GalnP/Ga(In)As/Ge @Φ100 20150616-0202 标记中各要素的含义如下： LM 晶格匹配结构； 3J 三结太阳能电池； GalnP/Ga(In)As/Ge 三结太阳能电池各子电池基区材料分别为GalnP，Ga（In）As、Ge； Φ100 直径为100mm； 20150616-0202 2015年06月16日生产的第02炉02片。 2