ICS31.200 CCSL55 中华人民共和国国家标准 GB/T44796—2024 集成电路三维封装 带凸点圆片划片工艺 过程和评价要求 Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-sawing processandevaluation 2024-10-26发布 2025-05-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 一般要求 1 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 设备、仪器和工装夹具 1 ……………………………………………………………………………… 4.2 材料 2 ………………………………………………………………………………………………… 4.3 一般注意事项 2 ……………………………………………………………………………………… 5 详细要求 3 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 环境 3 ………………………………………………………………………………………………… 5.2 典型工艺流程 3 ……………………………………………………………………………………… 5.3 工艺准备 4 …………………………………………………………………………………………… 5.4 贴膜 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.5 揭保护膜 5 …………………………………………………………………………………………… 5.6 烘片(必要时) 5 ……………………………………………………………………………………… 5.7 激光预切(必要时) 5 ………………………………………………………………………………… 5.8 划片 5 ………………………………………………………………………………………………… 5.9 清洗 5 ………………………………………………………………………………………………… 5.10 紫外解胶(必要时) 6 ………………………………………………………………………………… 5.11 标识、转运和贮存 6 ………………………………………………………………………………… 5.12 包装 6 ………………………………………………………………………………………………… 5.13 记录 6 ………………………………………………………………………………………………… 6 评价要求 6 ………………………………………………………………………………………………… 6.1 贴保护膜的评价要求(必要时) 6 …………………………………………………………………… 6.2 贴划片膜的评价要求 7 ……………………………………………………………………………… 6.3 揭保护膜的评价要求 7 ……………………………………………………………………………… 6.4 激光预切的评价要求 7 ……………………………………………………………………………… 6.5 划片的评价要求 7 …………………………………………………………………………………… 6.6 清洗的评价要求 8 …………………………………………………………………………………… ⅠGB/T44796—2024 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)归口。 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所、神州龙芯智能科技有限公司。 本文件主要起草人:袁世伟、李守委、吉勇、印琴、任云飞、郑卫华。 ⅢGB/T44796—2024 集成电路三维封装 带凸点圆片划片工艺 过程和评价要求 1 范围 本文件规定了12in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺(以下简称划片工艺)的一 般要求、详细要求和评价要求。 注:1in=2.54cm。 本文件适用于12in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T25915.1—2021 洁净室及相关受控环境 第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 带凸点圆片 bumpwafer 芯片外引出端为凸点的圆片。 3.2 划片 wafer-sawing 通过物理方法,将芯片从圆片分离的工艺。 4 一般要求 4.1 设备、仪器和工装夹具 划片工艺所需设备仪器应定期进行鉴定和校准。工装夹具应完好无损、洁净,规格尺寸应与工艺要 求相适应,常用设备仪器及工夹具应满足表1的要求。 表1 常用设备仪器及工装夹具 序号 名称 主要技术要求 用途 1 划片机划片尺寸:12in及以下尺寸凸点圆片 切割速度:0.1mm/s~300mm/s 主轴转速:6000r/min~60000r/min 累计误差:划切长度≥310mm,累计误差≤5μm 切割精度:±5μm带凸点圆片划片 1GB/T44796—2024 表1 常用设备仪器及工装夹具(续) 序号 名称 主要技术要求 用途 2 贴膜机 适用于12in及以下圆片;真空吸附带凸点圆片划片膜贴膜 带凸点圆片保护膜贴膜 3 揭膜机 适用于12in及以下圆片;真空吸附带凸点圆片划片膜揭膜 带凸点圆片保护膜揭膜 4紫外解胶机适用于12in及以下圆片 照射能量:10J/cm2~3000J/cm2去除紫外膜黏性 5 烘箱 峰值温度≥100℃;控温精度±5℃ 带凸点圆片烘片 6 显微镜放大倍率:30倍~200倍 适用于12in及以下圆片带凸点圆片检验 7测量显微镜放大倍率:30倍~800倍 适用于12in及以下圆片带凸点圆片检验 崩边,切割偏移量测量 8 划片刀刀片宽度:15μm~200μm 金刚石颗粒度:800目~5000目带凸点圆片划切 9 片盒 防静电;按照圆片尺寸分为不同型号 带凸点圆片存放、转运 10 托架 适用于12in及以下圆片 带凸点圆片上料 4.2 材料 划片工艺所使用的材料应满足表2的要求。 表2 常用材料及相关要求 序号 材料 主要技术要求 用途 1 划片膜厚度满足划片工艺要求 确保带凸点圆片划片过程中无芯片脱落 主要分为UV膜或非UV膜划片过程中对带凸点圆片进行固定 2 保护膜胶膜厚度需满足凸点高度保护要求,确保贴划片膜过 程中不发生圆片凸点损伤 主要分为UV膜或非UV膜贴膜过程中对圆片正面进行保护 3 去离子水电阻率大于或等于15MΩ·cm 带凸点圆片划片后圆片的清洗 4 切削液 无腐蚀;呈中性带凸点圆片划片刀的降温 带凸点圆片表面保护 4.3 一般注意事项 4.3.1 安全 带凸点圆片划片工艺注意以下安全事项: a) 设备仪器电源应可靠接地,定期对设备仪器的水、电、气系统进行安全检查; b) 设备仪器的操作应按照操作规程进行顺序操作。 2GB/T44796—2024