第2期 翟玉卫等：结温准确性对GaN HEMT加速寿命评估的影响 2006，53 (10):2438-2447. plifiers [J] . Microwave Symposium Digest, 2009: 917- [10] PREJS A， WOOD S， PENGELLY R， et al. Thermal 920. analysis and its application to high power GaN HEMT am- 信息与动态 国家军用标准GJB/Z299D《电子设备可靠性预计 田田田 IHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHI 手册》 》（送审稿）顺利通过审查 国家军用标准GJB/Z299系列《电子设备可靠 当地调整了部分元器件类别的质量系数； 性预计手册》是当前电子设备可靠性指标论证、指 3）调整了各类别元器件的基本失效率数值和 标分配、方案优选和设计改进必不可少的依据，是 T 系数值，更新了 T-S 曲线图; 开展可靠性试验和研制转阶段评审的支撑性、基础 4）更新了各类别元器件的通用失效率； 性标准。当前的有效版本是2006 年发布的 GJB/Z 5）增加了箔式电阻器、非线绕精密电位器、 299C，该标准的及时修订更新对电子设备开展相 氧化锯电解电容器、雪崩二极管、功率晶体管、达 关可靠性工作至关重要。从2013年起，标准编制 林顿晶体管、GaN微波集成电路、GaN微波场效 组承担GJB/Z299C的修订工作，开展了卓有成效 应晶体管、激光二极管、光电晶体管探测器和砷化 的工作。在大量收集信息和广泛征求意见的基础上 太阳能电池等30类元器件的可靠性预计模型或 修订形成的GJB/Z299D标准送审稿于2016年9月 参数; 通过了技术基础管理中心组织的审查，在完成报批 6）删除了合成电阻器、3类瓷介电容器、玻 程序后即可正式发布。 璃釉电容器、功率线绕电位器、微波锗检波和微波 修订后的 GJB/Z 299D 将合并代替 GJB/Z 锗混频二极管的可靠性预计模型； 7）修改和完善了片式膜电阻、电连接器、继 状态可靠性预计手册》，将满足武器装备现代化建 电器、电感器、变压器、振荡器、普通二极管、双 设中采用大量的新型元器件而产生的对可靠性预计 极型晶体管、硅场效应晶体管、微电路、光电子器 适用性、覆盖面、实用性和准确性等方面的需要 件、激光器和光纤连接器的预计模型或系数； 8）扩展了微电路和行波管的预计范围（产品 将为维修性、保障性、测试性和安全性等领域的工 规模); 作开展提供更加扎实的基础。 修订的主要内容有： 9）给出了“电子元器件全寿命状态的可靠性 1）将原仅适用于工作状态可靠性预计的指导 预计（资料性附录）”“电子元器件非工作状态可 性技术文件，通过增加资料性附录调整为适用于全 靠性预计（规范性附录）”“采用进口电子元器件 寿命状态的可靠性预计指导性技术文件，同时给出 的电子设备可靠性预计（规范性附录)”“基于失 了装备对国产电子元器件工作、非工作状态，以及 效物理的电子设备可靠性预计方法（资料性附录）” 进口电子元器件的可靠性预计模型和方法； “电子元器件失效模式及频数比（资料性附录）”和 “工作失效率计算示例（资料性附录）”等相关附 2）细化了可靠性预计质量等级的划分，更新 了可靠性预计质量等级引用的生产执行标准，并适 录。 (工信部电子五所数据中心周军连供稿） 9 DIANZI CHANPIN KEKAOXING YU HUANJING SHIYAN 第2期 翟玉卫等：结温准确性对GaN HEMT加速寿命评估的影响 2006，53 (10):2438-2447. plifiers [J] . Microwave Symposium Digest, 2009: 917- [10] PREJS A， WOOD S， PENGELLY R， et al. Thermal 920. analysis and its application to high power GaN HEMT am- 信息与动态 国家军用标准GJB/Z299D《电子设备可靠性预计 田田田 IHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHI 手册》 》（送审稿）顺利通过审查 国家军用标准GJB/Z299系列《电子设备可靠 当地调整了部分元器件类别的质量系数； 性预计手册》是当前电子设备可靠性指标论证、指 3）调整了各类别元器件的基本失效率数值和 标分配、方案优选和设计改进必不可少的依据，是 T 系数值，更新了 T-S 曲线图; 开展可靠性试验和研制转阶段评审的支撑性、基础 4）更新了各类别元器件的通用失效率； 性标准。当前的有效版本是2006 年发布的 GJB/Z 5）增加了箔式电阻器、非线绕精密电位器、 299C，该标准的及时修订更新对电子设备开展相 氧化锯电解电容器、雪崩二极管、功率晶体管、达 关可靠性工作至关重要。从2013年起，标准编制 林顿晶体管、GaN微波集成电路、GaN微波场效 组承担GJB/Z299C的修订工作，开展了卓有成效 应晶体管、激光二极管、光电晶体管探测器和砷化 的工作。在大量收集信息和广泛征求意见的基础上 太阳能电池等30类元器件的可靠性预计模型或 修订形成的GJB/Z299D标准送审稿于2016年9月 参数; 通过了技术基础管理中心组织的审查，在完成报批 6）删除了合成电阻器、3类瓷介电容器、玻 程序后即可正式发布。 璃釉电容器、功率线绕电位器、微波锗检波和微波 修订后的 GJB/Z 299D 将合并代替 GJB/Z 锗混频二极管的可靠性预计模型； 7）修改和完善了片式膜电阻、电连接器、继 状态可靠性预计手册》，将满足武器装备现代化建 电器、电感器、变压器、振荡器、普通二极管、双 设中采用大量的新型元器件而产生的对可靠性预计 极型晶体管、硅场效应晶体管、微电路、光电子器 适用性、覆盖面、实用性和准确性等方面的需要 件、激光器和光纤连接器的预计模型或系数； 8）扩展了微电路和行波管的预计范围（产品 将为维修性、保障性、测试性和安全性等领域的工 规模); 作开展提供更加扎实的基础。 修订的主要内容有： 9）给出了“电子元器件全寿命状态的可靠性 1）将原仅适用于工作状态可靠性预计的指导 预计（资料性附录）”“电子元器件非工作状态可 性技术文件，通过增加资料性附录调整为适用于全 靠性预计（规范性附录）”“采用进口电子元器件 寿命状态的可靠性预计指导性技术文件，同时给出 的电子设备可靠性预计（规范性附录)”“基于失 了装备对国产电子元器件工作、非工作状态，以及 效物理的电子设备可靠性预计方法（资料性附录）” 进口电子元器件的可靠性预计模型和方法； “电子元器件失效模式及频数比（资料性附录）”和 “工作失效率计算示例（资料性附录）”等相关附 2）细化了可靠性预计质量等级的划分，更新 了可靠性预计质量等级引用的生产执行标准，并适 录。 (工信部电子五所数据中心周军连供稿） 9 DIANZI CHANPIN KEKAOXING YU HUANJING SHIYAN 第2期 翟玉卫等：结温准确性对GaN HEMT加速寿命评估的影响 2006，53 (10):2438-2447. plifiers [J] . Microwave Symposium Digest, 2009: 917- [10] PREJS A， WOOD S， PENGELLY R， et al. Thermal 920. analysis and its application to high power GaN HEMT am- 信息与动态 国家军用标准GJB/Z299D《电子设备可靠性预计 田田田 IHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHI 手册》 》（送审稿）顺利通过审查 国家军用标准GJB/Z299系列《电子设备可靠 当地调整了部分元器件类别的质量系数； 性预计手册》是当前电子设备可靠性指标论证、指 3）调整了各类别元器件的基本失效率数值和 标分配、方案优选和设计改进必不可少的依据，是 T 系数值，更新了 T-S 曲线图; 开展可靠性试验和研制转阶段评审的支撑性、基础 4）更新了各类别元器件的通用失效率； 性标准。当前的有效版本是2006 年发布的 GJB/Z 5）增加了箔式电阻器、非线绕精密电位器、 299C，该标准的及时修订更新对电子设备开展相 氧化锯电解电容器、雪崩二极管、功率晶体管、达 关可靠性工作至关重要。从2013年起，标准编制 林顿晶体管、GaN微波集成电路、GaN微波场效 组承担GJB/Z299C的修订工作，开展了卓有成效 应晶体管、激光二极管、光电晶体管探测器和砷化 的工作。在大量收集信息和广泛征求意见的基础上 太阳能电池等30类元器件的可靠性预计模型或 修订形成的GJB/Z299D标准送审稿于2016年9月 参数; 通过了技术基础管理中心组织的审查，在完成报批 6）删除了合成电阻器、3类瓷介电容器、玻 程序后即可正式发布。 璃釉电容器、功率线绕电位器、微波锗检波和微波 修订后的 GJB/Z 299D 将合并代替 GJB/Z 锗混频二极管的可靠性预计模型； 7）修改和完善了片式膜电阻、电连接器、继 状态可靠性预计手册》，将满足武器装备现代化建 电器、电感器、变压器、振荡器、普通二极管、双 设中采用大量的新型元器件而产生的对可靠性预计 极型晶体管、硅场效应晶体管、微电路、光电子器 适用性、覆盖面、实用性和准确性等方面的需要 件、激光器和光纤连接器的预计模型或系数； 8）扩展了微电路和行波管的预计范围（产品 将为维修性、保障性、测试性和安全性等领